Определите нагруженную добротность резонатора полупроводникового лазера, обусловленную дифракцией. Численные значения параметров, необходимые при - вопрос №2434183
решении, следующие: ε0=10 – диэлектрическая проницаемость; λ=0.84 мкм – длина волны; d=10 см – толщина области локализации поля. Результат представьте в виде QН=x·10^10. В ответ введите x с точностью до целого значения.