Определите нагруженную добротность резонатора полупроводникового лазера, обусловленную дифракцией. Численные значения параметров, необходимые при - вопрос №2434183

решении, следующие: ε0=10 – диэлектрическая проницаемость; λ=0.84 мкм – длина волны; d=10 см – толщина области локализации поля. Результат представьте в виде QН=x·10^10. В ответ введите x с точностью до целого значения.
Ответов пока нет

Михаил Александров

от 0 p.
Эксперт месяца
Читать ответы

Андрей Андреевич

от 70 p.
Читать ответы

Владимир

от 50 p.
Читать ответы
Посмотреть всех экспертов из раздела Учеба и наука > Физика
Пользуйтесь нашим приложением Доступно на Google Play Загрузите в App Store